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La rapida evoluzione dell'industria dei semiconduttori ha spostato l'attenzione verso i semiconduttori di terza generazione, come il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN). Questi materiali sono alla base di applicazioni ad alta frequenza, alta temperatura e alta potenza, che spaziano dai sistemi di propulsione dei veicoli elettrici alle infrastrutture 5G. Tuttavia, il processo di produzione di questi semiconduttori avanzati richiede gas di processo ad altissima purezza. Tra questi, l'esafluoruro di zolfo (SF6) è frequentemente utilizzato nella deposizione al plasma e nella pulizia della camera.
La presenza anche di tracce di impurità acide, in particolare di fluoruro di idrogeno (HF), può compromettere l'integrità strutturale del wafer semiconduttore e portare al guasto del dispositivo. Di conseguenza, il Analizzatore completo del gas SF6 Per i semiconduttori di terza generazione, il rilevamento delle impurità di acido fluoridrico (HF) nel gas SF6 è diventato uno strumento indispensabile negli impianti di fabbricazione di semiconduttori (FAB).
I semiconduttori di terza generazione sono caratterizzati da un'ampia banda proibita. Per la lavorazione di questi materiali robusti, le tecniche di incisione al plasma utilizzano l'SF6 come fonte di radicali di fluoro. Nell'ambiente del plasma, le molecole di SF6 si dissociano per fornire gli atomi di fluoro necessari all'incisione dei substrati.
Durante questo processo, se il gas SF6 contiene umidità (H2O) o se ci sono perdite nel sistema di erogazione, si verifica una reazione chimica che genera fluoruro di idrogeno (HF).
Corrosione: l'HF è altamente corrosivo per le linee specializzate di erogazione del gas e per la camera di reazione stessa.
Perdita di resa: tracce di HF possono causare un'incisione non uniforme e introdurre difetti nel reticolo cristallino dei wafer di SiC o GaN.
Rischi per la sicurezza: l'HF è estremamente tossico per il personale e rappresenta un rischio ambientale significativo.
Per questi motivi, i produttori di semiconduttori devono utilizzare un analizzatore completo di gas SF6 per il rilevamento di impurità acide (HF) nel gas SF6 di terza generazione, al fine di monitorare la qualità del gas nel punto di utilizzo.
Gli analizzatori di SF6 tradizionali utilizzati nelle sottostazioni elettriche sono spesso insufficienti per le applicazioni nel settore dei semiconduttori. L'SF6 di grado semiconduttore richiede una sensibilità inferiore al ppm (parti per milione).
Un analizzatore completo di gas SF6 di livello professionale, come la serie RA912F, deve soddisfare diversi requisiti tecnici fondamentali:
Elevata sensibilità a HF e SO2: Poiché l'HF è un sottoprodotto primario dell'acidità, il sensore deve essere in grado di rilevarlo a livelli inferiori a 1 ppm.
Gestione della sensibilità incrociata all'umidità: l'HF si forma spesso in presenza di umidità. L'analizzatore deve misurare simultaneamente il punto di rugiada per fornire un quadro completo della composizione chimica del gas.
Resistenza chimica: i componenti interni dell'analizzatore devono essere resistenti alle stesse impurità acide che è progettato per misurare.
L'analizzatore completo di gas SF6 RA912F rappresenta l'apice della tecnologia di test sul campo, adattato alle rigorose esigenze dell'industria dei semiconduttori. Offre una suite specializzata di funzioni progettate per rilevare le impurità acide con una precisione di livello di laboratorio.
Il modello RA912F utilizza una combinazione di tecnologie di rilevamento elettrochimiche e capacitive:
Rilevamento di gas acidi (HF/SO2): i sensori elettrochimici sono calibrati per rilevare SO2 e HF, che sono i marcatori più comuni di degradazione e contaminazione dell'SF6.
Campo di misura e precisione: con un errore massimo consentito di +/- 0,5 μL/L per basse concentrazioni, il RA912F fornisce i dati ad alta risoluzione necessari per mantenere gli standard di produzione di SiC e GaN.
Verifica della purezza: utilizzando i principi della conduttività termica, il dispositivo garantisce la purezza dell'SF6 rimane al di sopra della soglia del 99,9% richiesta per i processi al plasma.
Per un responsabile di un impianto di produzione di semiconduttori (FAB), la decisione di implementare un analizzatore completo di gas SF6 per il rilevamento di impurità acide (HF) nel gas SF6 di terza generazione è guidata dal ritorno sull'investimento (ROI) e dalla mitigazione del rischio.
Gli strumenti utilizzati nella produzione di SiC e GaN, come la deposizione chimica da fase vapore metallorganica (MOCVD) e gli incisori a plasma accoppiato induttivamente (ICP), costano milioni di dollari. L'introduzione di gas contaminato da HF in questi sistemi può causare danni irreversibili ai componenti in quarzo e alle guarnizioni sottovuoto.
L'industria dei semiconduttori si attiene a rigorosi standard SEMI, mentre i protocolli di gestione dei gas spesso rispecchiano le norme IEC 60376 e IEC 60480. Il sistema RA912F garantisce che il gas utilizzato nell'impianto, sia esso gas vergine o gas recuperato dal processo di pulizia, sia conforme a questi standard internazionali.
Nel contesto dell'analizzatore completo di gas SF6 per il rilevamento di impurità acide (HF) nel gas SF6 di terza generazione per semiconduttori, l'umidità (H2O) è il 'facilitatore' della formazione di acidi.
La reazione chimica è tipicamente:
SF6 + H2O (Umidità) + Energia (Plasma/Calore) -> SOF2 + 2HF
Monitorando simultaneamente H2O e HF, il RA912F consente ai tecnici di identificare la causa principale della contaminazione. Un livello elevato di H2O suggerisce una perdita o un guasto nel sistema di essiccazione del gas. Un livello elevato di HF ma basso di H2O indica un problema di contaminazione durante il processo di ricarica o rigenerazione del gas.
L'analizzatore completo di gas SF6 RA912F è progettato per essere portatile e facile da usare all'interno della complessa configurazione di un impianto di produzione di semiconduttori.
Test a zero emissioni: per evitare il rilascio di HF tossico e SF6 costoso nell'ambiente FAB, il RA912F è dotato di una pompa di ricircolo. Ciò consente di recuperare il gas campione dopo l'analisi, mantenendo la qualità dell'aria della camera bianca.
Diagnostica intelligente: il sistema esperto integrato fornisce un risultato immediato di 'Superato/Non superato' in base a soglie preimpostate del settore dei semiconduttori, riducendo la necessità di personale specializzato in analisi chimiche in loco.
Tracciabilità dei dati: ogni test può essere registrato con un timestamp digitale e un ID dell'apparecchiatura, elemento essenziale per i requisiti di 'tracciabilità della qualità' della produzione di chip SiC per il settore automobilistico.
Il passaggio ai semiconduttori SiC e GaN rappresenta una rivoluzione nell'elettronica di potenza, ma è una rivoluzione che richiede una qualità del gas senza compromessi. L'analizzatore completo di gas SF6 per il rilevamento di impurità acide (HF) nei semiconduttori di terza generazione non è un semplice strumento di test; è una salvaguardia vitale per le rese produttive del futuro.
La serie RA912F offre la precisione, la sicurezza e le caratteristiche di conformità necessarie per rilevare tracce di HF prima che queste influenzino il wafer. Per i produttori che mirano a essere leader nei mercati del 5G e dei veicoli elettrici, un'analisi rigorosa dell'SF6 è fondamentale per un prodotto affidabile e ad alte prestazioni.
| Parametro | Principio di misurazione | Allineare | Precisione |
| HF/SO2 (Acido) | Elettrochimica | 0-100 μL/L | +/- 0,5 μL/L (intervallo basso) |
| purezza dell'SF6 | Conduttività termica | 0-100% | +/- 0,5% |
| Umidità (H2O) | Capacitivo | da -60 a +20 °C | +/- 2 °C |
| H2S | Elettrochimica | 0-100 μL/L | +/- 0,5 μL/L |