Tarih
E-posta
Web sitesi
Çözümler ve Fiyat Teklifleri Alın
Yarı iletken endüstrisindeki hızlı evrim, Silisyum Karbür (SiC) ve Galyum Nitrür (GaN) gibi üçüncü nesil yarı iletkenlere odaklanmayı sağlamıştır. Bu malzemeler, elektrikli araç güç aktarım sistemlerinden 5G altyapısına kadar yüksek frekanslı, yüksek sıcaklıklı ve yüksek güçlü uygulamaların temelini oluşturmaktadır. Bununla birlikte, bu gelişmiş yarı iletkenlerin üretim süreci, ultra yüksek saflıkta işlem gazları gerektirmektedir. Bunlar arasında, plazma aşındırma ve oda temizliğinde sıklıkla Kükürt Heksaflorür (SF6) kullanılmaktadır.
Az miktarda bile olsa asit safsızlıklarının, özellikle hidrojen florürün (HF), varlığı yarı iletken levhanın yapısal bütünlüğünü tehlikeye atabilir ve cihaz arızasına yol açabilir. Sonuç olarak, SF6 gazı kapsamlı analiz cihazı Üçüncü nesil yarı iletkenlerde SF6 gazı asit safsızlığının (HF) tespiti, yarı iletken üretim tesislerinde (FAB) vazgeçilmez bir araç haline gelmiştir.
Üçüncü nesil yarı iletkenler, geniş bant aralığı özellikleriyle tanımlanır. Bu dayanıklı malzemeleri işlemek için plazma aşındırma teknikleri, flor radikallerinin kaynağı olarak SF6'yı kullanır. Plazma ortamında, SF6 molekülleri, alt tabakaları aşındırmak için gerekli flor atomlarını sağlamak üzere ayrışır.
Bu süreçte, eğer SF6 gazı Eğer su nem (H2O) içeriyorsa veya dağıtım sisteminde sızıntılar varsa, hidrojen florür (HF) üreten kimyasal bir reaksiyon meydana gelir.
Korozyon: HF, özel gaz dağıtım hatlarına ve reaksiyon odasının kendisine karşı oldukça aşındırıcıdır.
Verim Kaybı: İz miktardaki HF, düzensiz aşındırmaya neden olabilir ve SiC veya GaN levhalarının kristal kafesine kusurlar sokabilir.
Güvenlik Riskleri: HF, personel için son derece zehirlidir ve önemli çevresel tehlikeler oluşturur.
Bu nedenlerle, yarı iletken üreticileri, üçüncü nesil yarı iletkenlerdeki SF6 gazı asit safsızlığı (HF) tespiti için, kullanım noktasında gaz kalitesini izlemek amacıyla kapsamlı bir SF6 gazı analizörü kullanmalıdır.
Enerji trafo merkezlerinde kullanılan geleneksel SF6 analizörleri, yarı iletken uygulamaları için genellikle yetersizdir. Yarı iletken sınıfı SF6, milyonda bir (ppm) altı hassasiyet gerektirir.
RA912F serisi gibi profesyonel düzeyde bir SF6 Gazı Kapsamlı Analiz Cihazı, çeşitli teknik temel unsurları karşılamalıdır:
HF ve SO2'ye Yüksek Hassasiyet: HF birincil asit yan ürünü olduğundan, sensörün 1 ppm'nin altındaki seviyelerde bile onu tespit edebilmesi gerekir.
Nem Çapraz Hassasiyet Yönetimi: HF genellikle nemin varlığında oluşur. Gaz kimyasının eksiksiz bir resmini sağlamak için analiz cihazının aynı anda çiğ noktasını da ölçmesi gerekir.
Kimyasal Direnç: Analiz cihazının iç bileşenleri, ölçmek üzere tasarlandığı asidik safsızlıklara karşı dayanıklı olmalıdır.
RA912F SF6 Gaz Kapsamlı Analiz Cihazı, yarı iletken endüstrisinin zorlu taleplerine uyarlanmış, saha test teknolojisinin zirvesini temsil eder. Laboratuvar düzeyinde doğrulukla asit safsızlıklarını tespit etmek için tasarlanmış özel bir dizi özellik sunar.
RA912F, elektrokimyasal ve kapasitif algılama teknolojilerinin bir kombinasyonunu kullanır:
Asit Gazı Tespiti (HF/SO2): Elektrokimyasal sensörler, SF6 bozunmasının ve kirlenmesinin en yaygın göstergeleri olan SO2 ve HF'yi tespit edecek şekilde kalibre edilmiştir.
Ölçüm Aralığı ve Doğruluk: Düşük konsantrasyonlar için +/- 0,5 µL/L'lik maksimum izin verilen hata payıyla RA912F, SiC ve GaN üretim standartlarını korumak için gereken yüksek çözünürlüklü verileri sağlar.
Saflık Doğrulama: Cihaz, termal iletkenlik prensiplerini kullanarak saflığı doğrular. SF6 saflığı Plazma işlemleri için gerekli olan %99,9 eşiğinin üzerinde kalmaktadır.
Yarı iletken üretim tesisi yöneticisi için, üçüncü nesil yarı iletkenlerde SF6 gazı asit safsızlığının (HF) tespiti amacıyla kapsamlı bir SF6 gazı analiz cihazı uygulama kararı, yatırım getirisi ve risk azaltma güdülerine dayanmaktadır.
SiC ve GaN üretiminde kullanılan MOCVD (Metal-Organik Kimyasal Buhar Biriktirme) ve ICP (İndüktif Bağlantılı Plazma) gibi aletlerin maliyeti milyonlarca dolardır. Bu sistemlere HF ile kirlenmiş gazın girmesi, kuvars bileşenlerine ve vakum contalarına geri dönüşü olmayan hasar verebilir.
Yarı iletken endüstrisi, katı SEMI standartlarına uymaktadır; gaz işleme protokolleri ise genellikle IEC 60376 ve IEC 60480 standartlarını yansıtmaktadır. RA912F, tesiste kullanılan gazın (ister saf gaz olsun ister temizleme işleminden geri kazanılan gaz olsun) bu uluslararası standartlara uygun olmasını sağlar.
Üçüncü nesil yarı iletkenlerde SF6 gazı asit safsızlığının (HF) tespiti için kullanılan SF6 gazı kapsamlı analiz cihazı bağlamında, nem (H2O) asit oluşumunun 'kolaylaştırıcı' unsurudur.
Kimyasal reaksiyon tipik olarak şöyledir:
SF6 + H2O (Nem) + Enerji (Plazma/Isı) -> SOF2 + 2HF
RA912F, H2O ve HF'yi eş zamanlı olarak izleyerek teknisyenlerin kontaminasyonun temel nedenini belirlemesine olanak tanır. H2O yüksekse, gaz kurutma sisteminde bir sızıntı veya arıza olduğunu gösterir. HF yüksek ancak H2O düşükse, gaz dolumu veya rejenerasyon işlemi sırasında bir kontaminasyon sorunu olduğunu gösterir.
RA912F SF6 Gaz Kapsamlı Analiz Cihazı, yarı iletken tesislerinin karmaşık düzeni içinde taşınabilirlik ve kullanım kolaylığı için tasarlanmıştır.
Sıfır Emisyon Testi: Zehirli HF ve pahalı SF6'nın FAB ortamına salınmasını önlemek için RA912F, geri dönüşlü bir pompaya sahiptir. Bu, analizden sonra numune gazının geri kazanılmasını sağlayarak temiz oda hava kalitesini korur.
Akıllı Teşhis: Dahili uzman sistem, önceden belirlenmiş yarı iletken endüstrisi eşiklerine dayanarak anında 'Geçti/Kaldı' sonucu verir ve böylece üretim alanında uzman kimyasal analiz personeline olan ihtiyacı azaltır.
Veri İzlenebilirliği: Her test, dijital zaman damgası ve ekipman kimliği ile kaydedilebilir; bu da otomotiv sınıfı SiC çip üretiminin 'Kalite İzlenebilirliği' gereksinimleri için çok önemlidir.
SiC ve GaN yarı iletkenlerine geçiş, güç elektroniğinde bir devrimdir, ancak bu devrim, tavizsiz gaz kalitesi gerektirir. Üçüncü nesil yarı iletken SF6 gazındaki asit safsızlığı (HF) tespiti için kullanılan SF6 gaz kapsamlı analiz cihazı, sadece bir test ekipmanı değil; yarının üretim verimliliği için hayati bir güvencedir.
RA912F serisi, eser miktardaki HF'yi yonga levhasına ulaşmadan önce tespit etmek için gerekli hassasiyet, güvenlik ve uyumluluk özelliklerini sunar. 5G ve EV pazarlarında lider olmayı hedefleyen üreticiler için, titiz SF6 analizi, güvenilir ve yüksek performanslı bir ürünün temelidir.
| Parametre | Ölçüm Prensibi | Menzil | Kesinlik |
| HF/SO2 (Asit) | Elektrokimyasal | 0-100 µL/L | +/- 0,5 µL/L (düşük aralık) |
| SF6 saflığı | Isı İletkenliği | 0-100% | +/- 0,5% |
| Nem (H2O) | Kapasitif | -60 ila +20 C | +/- 2 °C |
| H2S | Elektrokimyasal | 0-100 µL/L | +/- 0,5 µL/L |